1999年初，Nichia公司開始商業(yè)化生產(chǎn)用InGaN制作的紫色激光器，其輸出功率為5mw，發(fā)射波長為400nm，工作壽命超過10000小時。近他們又開發(fā)出了室溫下連續(xù)工作功率達30mw的激光器，波長為405nm。DVD的光存儲密度與半導體激光器的波長平方成反比，如果DVD使用GaN基短波長半導體激光器，則其光存儲密度將比當前使用GaAs基半導體激光器的同類產(chǎn)品提高4－5倍，因此，寬禁帶GaN半導體技術(shù)還將成為光存儲和處理的主流技術(shù)。

氮化鎵具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的導熱性、良好的化學穩(wěn)定性、強的抗輻射性、高的內(nèi)、外量子效率、高的發(fā)光效率、高的強度和硬度。其耐磨性接近金剛石)。這種特性和特性可以制成率的半導體發(fā)光器件--發(fā)光二極管(即發(fā)光二極管)和激光器(簡稱LD)。并可擴展到白光LED和藍光LD。耐磨性接近金剛石的特性將有助于開啟觸摸屏、太空載具以及射頻（RF）MEMS等需要高速、高振動技術(shù)的新應用。

氮化鎵（GaN，gallium nitride）是一種具有半導體特性的化合物，其研究可追溯到上世紀九十年代。使用GaN制造的電子組件包括二極管，晶體管和放大器，它與硅（這也是此前我們聽過的流行的一種半導體材料）屬于同一元素周期族。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，帶隙本質(zhì)上衡量的是能量通過材料的難易程度，因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢。