磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還司進行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

主要應(yīng)用
編輯
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類
根據(jù)形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導(dǎo)體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導(dǎo)陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導(dǎo)電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

鋯管-----玻璃鋼反應(yīng)釜有如下優(yōu)點：
1、使用壽命長，至少3年以上。
2、免維護，省卻設(shè)備的維修費用及停工成本費用。
3、高工效，因鋯金屬導(dǎo)熱性能強，其加熱及降溫速度快。5方母液、8平方換熱面積，從120℃降至40℃不超過90分鐘。蒸汽與冷卻水可隨時切換。
4、安全性能高，由于玻璃鋼的柔韌性，不會像普通釜那樣由于掉黏而被迅速腐蝕，產(chǎn)生漏液的危險。
5、耐腐蝕性能更優(yōu)，能耐住氣態(tài)氯及氣態(tài)氫的混合腐蝕，在雙甘膦及草甘膦的生產(chǎn)中優(yōu)勢更為明顯。

鋯管-鋯板-鋯帶-鋯棒-鋯絲
牌號：Zr－0、Zr－2、R60702，R60705、Zr－4；
規(guī)格： 0.03～50×200～600×Lmm 0.5～100×Lmm；
種類：軋制、鍛制、拉制；標準：Q／BS6531－91、GB8769－88、Q／BS6331－91、Q／BS6431－91。

鋯作為與氧有親和力的活潑金屬，氧化膜的耐蝕性能決定了其可以勝任多重腐蝕環(huán)境。
一、工業(yè)純鋯在所有的沸騰的所有濃度鹽酸中，腐蝕速率均小于0.025mm/a。
二、在小于70%的硫酸中鋯具有的耐蝕性。此外由于不銹鋼和鎳合金不能在高溫、20%的硫酸和40-60%的沸騰溫度以下的硫酸范圍內(nèi)使用，故鋯在硫酸環(huán)境具有無可替代的作用。
三、在200℃以下，不大于90%的硝酸中，鋯具有良好的耐蝕性。但應(yīng)注意鋯在硝酸中的應(yīng)力腐蝕開裂敏感性。
四、鋯在所有濃度甚至沸騰的苛性堿溶液中都耐腐蝕。耐蝕性超過了鉭、鈮、鈦。