蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。

開機(jī)械泵、預(yù)抽，開渦輪分子泵電源、并啟動(dòng)，真空計(jì)開關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)預(yù)抽，開前級泵和高真空閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能打開電子槍電源。

從更深層次研究電子在非均勻電磁場中的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 ,探討了磁控濺射的更一般原理以及磁場的橫向不均勻性及對稱性是磁約束的本質(zhì)原因。磁控濺射可以被認(rèn)為是鍍膜技術(shù)中的成就之一。特點(diǎn)是濺射率高、基片溫升低、膜-基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定中頻設(shè)備加冷卻水進(jìn)行冷卻，原因是它的頻率高電流大。電流在導(dǎo)體流動(dòng)時(shí)有一個(gè)集膚效應(yīng)，電荷會(huì)聚集在電導(dǎo)有表面積，這樣會(huì)使電導(dǎo)發(fā)熱，所以采用中孔管做導(dǎo)體中間加水冷卻。

為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種真空鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和真空手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進(jìn)行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。

蒸發(fā)鍍膜與真空手套箱組合，實(shí)現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個(gè)薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個(gè)完整的可控環(huán)境氛圍的系統(tǒng)中，消除有機(jī)大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了、大面積有機(jī)光電器件和電路的制備。
真空鍍膜系統(tǒng)用途：主要用于太陽能電池鈣鈦礦、OLED和PLED、半導(dǎo)體制備等實(shí)驗(yàn)研究與應(yīng)用?，F(xiàn)有的真空鍍膜機(jī)，主要用于一些放氣量較少的普通玻璃上鍍膜，由于大面積有機(jī)玻璃放氣量較大，熱變形溫度低，剛性低，因此現(xiàn)有的真空鍍膜機(jī)無法鍍制大面積有機(jī)玻璃?，F(xiàn)有的鍍膜機(jī)蒸發(fā)源間呈正方形分布，這樣鍍出的膜層均勻性差，無法大面積有機(jī)玻璃在鍍制過程中不變形。為了克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種真空鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和真空手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進(jìn)行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。
蒸發(fā)鍍膜與真空手套箱組合，實(shí)現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個(gè)薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個(gè)完整的可控環(huán)境氛圍的系統(tǒng)中，消除有機(jī)大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了、大面積有機(jī)光電器件和電路的制備。