金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實現(xiàn)金屬解離：
設(shè)備參數(shù)
壓力：5-8 GPa（相當于地核壓力）
沖頭速度：1-2 mm/s
模具材料：硬質(zhì)合金（HV>2000）
解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續(xù)處理：
氣流分選（密度差異）
靜電分離（導(dǎo)電性差異）
優(yōu)勢：
無化學試劑添加
處理速度200 kg/h
金鹽回收中的選擇性化學鍍技術(shù)
化學鍍技術(shù)可在非導(dǎo)電基材上選擇性沉積金層，適用于電子廢料中微米級金線路的回收：
鍍液配方優(yōu)化
組分 濃度范圍 功能作用
氯金酸（HAuCl?） 1-3 g/L 金離子來源
還原劑（DMAB） 2-5 g/L 電子供體（E°=-1.18 V）
絡(luò)合劑（EDTA） 10-15 g/L 穩(wěn)定Au3?，抑制自發(fā)分解
pH調(diào)節(jié)劑 維持7.5-8.5 硼酸鈉緩沖體系
工藝特性
沉積速率：0.5-2 μm/h（40-60°C）
選擇性：通過光刻膠圖形化實現(xiàn)局部沉積（精度±5 μm）
鍍層性能：
電阻率2.3 μΩ·cm（接近體材料）
結(jié)合力>30 MPa（劃痕測試）
應(yīng)用案例：
日本日礦金屬處理廢棄FPC板，金回收率>98%
缺陷控制：鍍液壽命約8-10個金屬周轉(zhuǎn)（需定期過濾再生）
金鹽回收中的飛秒激光解離技術(shù)
超快激光（脈寬100 fs）選擇性剝離電子廢料中的金層：
工藝參數(shù)
參數(shù) 設(shè)定值 物理效應(yīng)
波長 515 nm 金吸收系數(shù)達10? cm?1
能量密度 0.5 J/cm2 超過金燒蝕閾值（0.3 J/cm2）
重復(fù)頻率 100 kHz 平衡效率與熱影響區(qū)
加工效果
剝離精度：±2 μm（可保留底層基材完整性）
金純度：99.9%（無銅、鎳等基材混入）
速率：處理手機主板達5 cm2/s
技術(shù)優(yōu)勢：
非接觸式加工避免機械應(yīng)力
廢氣僅需簡單過濾（無化學溶劑揮發(fā)）
設(shè)備成本：飛秒激光系統(tǒng)約$0.5M/臺，適合高值廢料處理
金鹽回收工廠的數(shù)字化管理
1. 智能倉儲系統(tǒng)
RFID標簽追蹤物料批次
自動稱重精度±0.1 kg
2. 數(shù)字孿生應(yīng)用
電解槽電流密度模擬（誤差<3%）
浸出率預(yù)測模型（R2>0.95）
3. 能源優(yōu)化
余熱發(fā)電（ORC系統(tǒng)）
分時電價生產(chǎn)調(diào)度
實施效果（某200t/d工廠）：
金損失減少0.8%（年增收$1.2M）
能耗降低15%
安全事故率下降90%
金鹽回收電解回收的動力學研究
金鹽回收電解過程受傳質(zhì)與電荷轉(zhuǎn)移雙重控制，其動力學特性表現(xiàn)為：
陰極反應(yīng)機理：
主反應(yīng)：Au(CN)?? + e? → Au + 2CN?（標準電位-0.6V vs SHE）
競爭反應(yīng)：2H? + 2e? → H?↑（需維持pH>10抑制析氫）
關(guān)鍵動力學參數(shù)：
參數(shù) 典型值 影響規(guī)律
交換電流密度j? 1.2×10?3 A/cm2 隨溫度升高呈指數(shù)增長
傳遞系數(shù)α 0.52 與電極表面粗糙度正相關(guān)
擴散層厚度δ 50-100μm 與流速的-0.5次方成正比
強化措施：
脈沖電解：采用占空比1:4的方波（f=50Hz），使晶粒尺寸從20μm降至5μm
流體擾動：在電解槽中設(shè)置靜態(tài)混合器，極限電流密度提升至350A/m2
添加劑調(diào)控：添加1ppm的Pb2?可使沉積過電位降低120mV
金鹽回收，火法冶金回收工藝
火法處理適用于高含量（>1%）金鹽廢料，主要流程包括：
預(yù)處理階段
烘干脫水：120℃下將含水率從80%降至<5%
配料熔劑：按金鹽：硼砂：碳酸鈉=1:0.3:0.2比例混合
熔煉階段
電弧爐熔煉：溫度1350-1500℃，時間2-3h
貴鉛形成：Au與Pb形成合金（密度11.3g/cm3），與渣相分離
灰吹氧化：900℃下鼓風氧化除鉛，獲得粗金錠
精煉階段
電解回收：采用AuCl?-HCl電解液，電流密度200A/m2
純度提升：從99.5%提純至99.99%
典型技術(shù)指標：
回收率：98.2-99.5%
能耗：850-1200kWh/kg Au
渣含金：<0.01%
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